Der neue Standard für Mainstream-NVMe-SSDs
Erhältlich mit U.3, M.2 und E1.S zur Unterstützung der meisten wichtigen Plattformfunktionen.
7000
MB/s
Sequenzielle Leistung
1,1M
IOPS2
Zufällige Leistung
99.9999 %
Servicequalität (QoS)
Latenz von weniger als 1 ms1
232
Layer-NAND
Weltweit fortschrittlichste NAND-Technologie2
Speziell entwickelte Lösungen. Erfolgreiche Umsetzungen.
Testergebnisse
NoSQL-Datenbankleistung
Erfahren Sie, wie die Micron 7500 NVMe SSD andere Mainstream-Rechenzentrums-SSDs übertrifft.
Technische Kurzdarstellung
SSD-Sicherheitsmerkmale
Verschaffen Sie sich umfassende Sicherheit durch den Schutz ruhender Daten.
E-Book
Vier Gründe für NVMe
Warum sollten Sie NVMe implementieren? Hier sind vier Gründe.
Beschleunigte Workloads
Schaffen Sie ein effizientes Ökosystem, in dem Daten – und Erkenntnisse – reibungsloser fließen.
OLTP mit hohem Volumen
Effiziente und skalierbare Transaktionsverarbeitung
Cloud-Speicher
Skalierbare Lösungen für verschiedene Workloads
Big Data
Schneller Speicher für riesige Datensätze
Objektspeicher
Hoher Durchsatz und Reaktionsschnelligkeit für unstrukturierte Daten
Modernste Funktionen
Die Micron® 7500 NVMe™ SSD bietet die perfekte funktionelle Balance:
Stromausfallsicherung
Sicher löschen/starten
5 Jahre eingeschränkte Garantie3
Enterprise Data Path Protection
Vertrauenswürdige Hardware, sicher signierte Firmware
Firmware-Aktivierung ohne Zurücksetzen
TRIM-Unterstützung mit automatischer Speicherbereinigung
Warum die 7500 NVMe SSD wählen?
Leistung steigern
Erhalten Sie bessere Ergebnisse und unterstützen Sie gleichzeitig die neuesten Sicherheitsfunktionen4.
Latenz reduzieren
Gewährleisten Sie die Reaktionsfähigkeit für Echtzeitanalysen, Inhaltsverteilung und OLTP.
Beschleunigen Sie Workloads
Unterstützen Sie die Prozesse hinter KI, Datenbanken und Cloud Computing.
Technische Daten
Überragende Leistung bei einer Vielzahl von Workloads und umfassende Unterstützung für das Open Compute Project (OCP).
| Kapazität | 960 GB | 1,92 TB | 3,84 TB | 7,68 TB | 15,36 TB |
|---|---|---|---|---|---|
| Seq. Lesen (MB/s) | 6800 | 6800 | 6800 | 7000 | 7000 |
| Seq. Schreiben (MB/s) | 1400 | 2700 | 5300 | 5900 | 5900 |
| Zufälliges Lesen (KIOPS) | 800 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 |
| Zufälliges Schreiben (KIOPS) | 85 | 145 | 180 | 215 | 250 |
| Zufälliges Lesen-/Schreiben (IOPS) 70/30 | 130 | 260 | 350 | 450 | 530 |
| Latenz (typisch, µs)8 | 70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
| 4K zufällig | 1752 | 3504 | 7008 | 14 016 | 28 032 |
| Schnittstelle | PCIe Gen4 1x4, NVMe (v2.4b) | ||||
| NAND | Micron 3D TLC NAND mit mehr als 200 Schichten | ||||
| MTTF | MTTF: 2,0 Mio. Stunden bei 0–55 °C und 2,5 Mio. Stunden bei 0–50 °C | ||||
| UBER | <1 Sektor pro 1018 gelesene Bits | ||||
| Garantie | 5 Jahre | ||||
| Energieverbrauch | Sequenzielles Lesen (durchschnittlicher RMS-Wert): 15,5 W (PRO und MAX) Sequenzielles Schreiben (durchschnittlicher RMS-Wert): 18,3 W (PRO und MAX) |
||||
| Betriebstemperatur | 0–70 °C (HINWEIS: Wenn die SMART-Temperatur 77 °C überschreitet, wird die Leistung gedrosselt.) |
||||
| Kapazität | 800 GB |
1,6 TB |
3,2 TB |
6,4 TB |
12,8 TB |
|---|---|---|---|---|---|
| Seq. Lesen (MB/s) | 6800 | 6800 | 6800 | 7000 | 7000 |
| Seq. Schreiben (MB/s) | 1400 | 2700 | 5300 | 5900 | 5900 |
| Zufälliges Lesen (KIOPS) | 800 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 |
| Zufälliges Schreiben (KIOPS) | 145 |
270 | 390 | 400 | 410 |
| Zufälliges Lesen-/Schreiben (IOPS) 70/30 | 200 | 370 | 510 | 650 | 700 |
| Latenz (typisch, µs)8 | 70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
70 (Lesen) 15 (Schreiben) |
| 4K zufällig | 4380 |
8760 |
17 520 | 35 040 |
70 080 |
| Schnittstelle | PCIe Gen4 1x4, NVMe (v2.4b) | ||||
| NAND | Micron 3D TLC NAND mit mehr als 200 Schichten | ||||
| MTTF | MTTF: 2,0 Mio. Stunden bei 0–55 °C und 2,5 Mio. Stunden bei 0–50 °C | ||||
| UBER | <1 Sektor pro 1018 gelesene Bits | ||||
| Garantie | 5 Jahre | ||||
| Energieverbrauch | Sequenzielles Lesen (durchschnittlicher RMS-Wert): 15,5 W (PRO und MAX) Sequenzielles Schreiben (durchschnittlicher RMS-Wert): 18,3 W (PRO und MAX) |
||||
| Betriebstemperatur | 0–70 °C (HINWEIS: Wenn die SMART-Temperatur 77 °C überschreitet, wird die Leistung gedrosselt.) |
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Auswirkungen auf die Branche
Wie man hungrige KI füttert
Unternehmen nutzen Data Lakes, um neue und leistungsstarke Erkenntnisse zu gewinnen.
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Nutzen Sie die Vorteile der Verarbeitung von Daten so nah wie möglich an ihrer Quelle.
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Dank des ausgewogenen Verhältnisses von Rechenleistung, Arbeits- und Datenspeicher können Sie einen leistungsstarken Server erstellen, der viel mehr ist als nur die Summe seiner Teile.
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Hinweis: Alle angegebenen Werte dienen nur als Anhaltspunkte und sind keine garantierten Werte. Informationen zur Garantie erhalten Sie unter https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties oder von Ihrem Micron Vertriebsmitarbeiter. Die Werte stellen die theoretische maximale Lebensdauer bei der vorgegebenen Übertragungsgröße und -art dar. Die Lebensdauer variiert abhängig vom Workload. Leistungswerte gemessen bei 25 Watt.