Micron® 7600 NVMe™ SSD Skip to content

Micron® mainstream 7500 NVMe™ SSD

MICRON® 7600 NVME™ SSD

Der Datenspeicher für Exzellenz


Hoher Durchsatz, geringe Latenz und Energieeffizienz für Mainstream-Workloads

Micron® 7600 NVMeSSD

Eine der fortschrittlichsten und leistungsstärksten Mainstream-SSDs auf dem Markt

12 GB/s

MB/s

Sequenzielle Leistung1

2,1 Mio. IOPS

IOPS1

Zufällige Leistung1

15,36 TB

Servicequalität (QoS)

Max. Kapazität2

G9

Layer-NAND

NAND3

Viel mehr Leistung für Ihre KI-, Cloud- und Edge-Workloads

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Sie suchen nach Speicher, der genug Leistung bietet, wenn es darauf ankommt? Verglichen mit konkurrierenden Mainstream-SSDs der 5. Generation bietet die Micron 7600 NVMe SSD Folgendes:

  • 23 % mehr Leistung1
  • 76 % geringere Latenz1
  • 79 % höhere Energieeffizienz1

Weitere Produktinformationen zur 7600

Werfen Sie einen genaueren Blick auf die innovative Technologie der Micron 7600 NVMe SSD

Beschleunigte Workloads

Schaffen Sie ein effizientes Ökosystem, in dem Daten – und Einblicke – ungehinderter fließen. 

Produkt
OLTP mit hohem Volumen

Verarbeiten Sie Transaktionen schneller und skaliert

Produkt
Cloud-Speicher

Skalierbare Lösungen für ein breites Workload-Spektrum

Produkt
Big Data

Schneller Speicher für riesige Datensätze
 

Produkt
Objektspeicher

Hoher Durchsatz und Reaktionsschnelligkeit für unstrukturierte Daten

Bahnbrechende Funktionalität

Erleben Sie die ideale Mischung aus Funktionen und Technologie:

Stromausfallsicherung
 

NVMe Management Interface (NVMe-MI™) über SMBus

Sicherer Firmware-Download
 

Secure Encrypted Environment (SEE) von Micron

Enterprise Data Path Protection
 

NVMe®-Energiezustände
 

Vertrauenswürdige Hardware, sicher signierte Firmware

System zur Selbstüberwachung, Analyse und Statusmeldung (SMART)

NVMe® 2.0b, TCG Opal v2.02, OCP 2.6

Firmware-Aktivierung ohne Zurücksetzen

Selbstverschlüsselnde Festplatte (SED) mit AES-256-Verschlüsselung

5 Jahre eingeschränkte Garantie4

Warum die 7600 NVMe SSD wählen?

Mehr Leistung

Profitieren Sie von besseren Ergebnissen und den neuesten Sicherheitsfunktionen.

Geringere Latenz

Sorgen Sie für Reaktionsschnelligkeit bei Echtzeitanalysen, KI-Training/-Inferenz und OLTP.

Beschleunigen Sie Workloads

Unterstützen Sie die Prozesse hinter KI, Datenbanken und Cloud Computing.

Spezifikationen

Überragende Leistung bei einer Vielzahl von Workloads und umfassende Unterstützung für das Open Compute Project (OCP).

Kapazität 1,92 TB 3,84 TB 7,68 TB 15,36 TB
Seq. Lesen (MB/s) 12 000 12 000 12 000 12 000
Seq. Schreiben (MB/s) 3 300 6 500 7000 7000
Zufälliges Lesen (KIOPS) 1 800 2 100 2 100 2 100
Zufälliges Schreiben (KIOPS) 180 300 400 400
70/30 zufälliges Lesen-/Schreiben (IOPS) 320 480 700 700
Latenz (typisch, µs)8

75 (Lesen),

15 (Schreiben)

75 (Lesen),

15 (Schreiben)

75 (Lesen),

15 (Schreiben)

75 (Lesen),

15 (Schreiben)

Lebensdauer (4K-Zufall) 3500 7000 14 000 28 000
Schnittstelle PCIe Gen5 1x4, NVMe v2.0b
NAND Micron G9 TLC NAND
MTTF MTTF: 2,0 Mio. Stunden bei 0–55 °C und 2,5 Mio. Stunden bei 0–50 °C
UBER <1 Sektor pro 1018 gelesene Bits
Garantie 5 Jahre
Power

Sequenzielles Lesen (durchschnittlicher RMS-Wert): 15,5 W (PRO und MAX)

Sequenzielles Schreiben (durchschnittlicher RMS-Wert): 18,3 W (PRO und MAX)

Betriebstemperatur

0–70 °C (FUßNOTE: Wenn die SMART-Temperatur 77 °C überschreitet, wird die Leistung gedrosselt.)

Kapazität 1,6 TB 3,2 TB 6,4 TB 12,8 TB
Seq. Lesen (MB/s) 12 000 12 000 12 000 12 000
Seq. Schreiben (MB/s) 3 300 6 500 7000 7000
Zufälliges Lesen (KIOPS) 1 800 2 100 2 100 2 100
Zufälliges Schreiben (KIOPS) 260 560 675 675
70/30 zufälliges Lesen-/Schreiben (IOPS) 450 700 1000 1100
Latenz (typisch, µs)8

75 (Lesen),

15 (Schreiben)

75 (Lesen),

15 (Schreiben)

75 (Lesen),

15 (Schreiben)

75 (Lesen),

15 (Schreiben)

Lebensdauer (4K-Zufall) 8700 17 500 35 000 70 000
Schnittstelle PCIe Gen5 1x4, NVMe v2.0b
NAND Micron G9 TLC NAND
MTTF MTTF: 2,0 Mio. Stunden bei 0–55 °C und 2,5 Mio. Stunden bei 0–50 °C
UBER <1 Sektor pro 1018 gelesene Bits
Garantie 5 Jahre
Power

Sequenzielles Lesen (durchschnittlicher RMS-Wert): 15,5 W (PRO und MAX)

Sequenzielles Schreiben (durchschnittlicher RMS-Wert): 18,3 W (PRO und MAX)

Betriebstemperatur

0–70 °C (FUßNOTE: Wenn die SMART-Temperatur 77 °C überschreitet, wird die Leistung gedrosselt.)

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Nutzen Sie die Vorteile der Verarbeitung von Daten so nah wie möglich an ihrer Quelle.
 

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Hinweis: Alle angegebenen Werte dienen nur als Anhaltspunkte und sind nicht garantiert. Informationen zur Garantie erhalten Sie unter https://www.micron.com/sales-support/sales/returns-and-warranties oder von Ihrem Micron-Vertriebsmitarbeiter.

1. Leistungsmessung unter den folgenden Bedingungen: Stationärer Zustand gemäß SNIA Solid State Storage Performance Test Specification Enterprise v1.1; Schreibcache des Laufwerks aktiviert; NVMe-Stromversorgungsstatus 0; sequenzielle Workloads gemessen mit FIO bei einer Warteschlangentiefe von 32; zufällige Lese-Workloads gemessen mit FIO bei einer Warteschlangentiefe von 512; zufällige Schreib-Workloads gemessen mit FIO mit einer Warteschlangentiefe von 128.

2. Benutzerkapazität: 1 GB = 1 Milliarde Bytes; die formatierte Kapazität ist geringer

3. Siehe https://www.micron.com/products/storage/nand-flash/g9-nand

4. Die Garantie gilt für 5 Jahre ab dem ursprünglichen Kaufdatum oder bis zu dem Zeitpunkt, an dem die Gesamtschreibleistung (TBW) erreicht wird, je nachdem, was zuerst eintritt. Die TBW ist im Produktdatenblatt angegeben und wird anhand der SMART-Daten des Produkts gemessen.

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